[发明专利]一种能提高控温精度的基片安装台及等离子体处理设备有效
申请号: | 201811611307.X | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN111383885B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 刘季霖;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 刘琰;贾慧琴 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种能提高控温精度的基片安装台及等离子体处理设备,该基片安装台包含依次设置的导电基座、热隔离层、加热层、控温层和静电吸盘层;该导电基座中还设有冷却系统;该控温层内设置一空腔,所述空腔内填充有金属相变材料,在等离子处理过程中,金属相变材料融化并在具有不同温度的区域之间流动,以维持基片的温度恒定,达到精确控温的目的。本发明通过设置金属相变材料进行控温,利用了金属相变材料的吸热、放热特性,结构简便,控温过程容易控制。通过设置能精确控温的控温层,维持静电吸盘温度稳定,从而保证基片刻蚀的均匀性,达到高质量产出的目的,且节能环保,操作简便。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 精度 安装 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
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