[发明专利]摄像装置在审

专利信息
申请号: 201811611505.6 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN110098218A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 矶野俊介;仲顺秋男 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L27/30 分类号: H01L27/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 蒋巍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种摄像装置,减少膜剥离等不良情况的发生。具备:半导体基板,具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域;绝缘层,覆盖半导体基板的像素区域及周边区域;第一电极,在像素区域中位于绝缘层上;光电转换层,覆盖第一电极;第二电极,覆盖光电转换层;第一层,覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上,周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度,周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。
搜索关键词: 像素区域 周边区域 第一层 绝缘层 第二电极 半导体基板 光电转换层 第一电极 摄像装置 覆盖 上表面 膜剥离 像素
【主权项】:
1.一种摄像装置,其中,具备:半导体基板,所述半导体基板具有排列有多个像素的像素区域和与所述像素区域相邻的周边区域;绝缘层,所述绝缘层覆盖所述半导体基板的所述像素区域和所述周边区域;第一电极,所述第一电极在所述像素区域中位于所述绝缘层上;光电转换层,所述光电转换层覆盖所述第一电极;第二电极,所述第二电极覆盖所述光电转换层;以及第一层,所述第一层覆盖所述第二电极,在所述像素区域及所述周边区域中位于所述绝缘层上或所述第二电极上,所述周边区域中的所述第一层的厚度大于所述像素区域中的所述第一层的厚度,所述周边区域中的所述第一层的上表面位于比所述像素区域中的所述第一层的上表面靠上方的位置。
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