[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 201811611505.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN110098218A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 矶野俊介;仲顺秋男 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蒋巍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种摄像装置,减少膜剥离等不良情况的发生。具备:半导体基板,具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域;绝缘层,覆盖半导体基板的像素区域及周边区域;第一电极,在像素区域中位于绝缘层上;光电转换层,覆盖第一电极;第二电极,覆盖光电转换层;第一层,覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上,周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度,周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。 | ||
搜索关键词: | 像素区域 周边区域 第一层 绝缘层 第二电极 半导体基板 光电转换层 第一电极 摄像装置 覆盖 上表面 膜剥离 像素 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其中,具备:半导体基板,所述半导体基板具有排列有多个像素的像素区域和与所述像素区域相邻的周边区域;绝缘层,所述绝缘层覆盖所述半导体基板的所述像素区域和所述周边区域;第一电极,所述第一电极在所述像素区域中位于所述绝缘层上;光电转换层,所述光电转换层覆盖所述第一电极;第二电极,所述第二电极覆盖所述光电转换层;以及第一层,所述第一层覆盖所述第二电极,在所述像素区域及所述周边区域中位于所述绝缘层上或所述第二电极上,所述周边区域中的所述第一层的厚度大于所述像素区域中的所述第一层的厚度,所述周边区域中的所述第一层的上表面位于比所述像素区域中的所述第一层的上表面靠上方的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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