[发明专利]基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法有效

专利信息
申请号: 201811611788.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109437921B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 张宁;茹红强;茹敬雨 申请(专利权)人: 沈阳金瓷科技开发有限责任公司
主分类号: C04B35/591 分类号: C04B35/591;C04B35/622;C04B35/626
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 梁焱
地址: 110044 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法,包括以下步骤:(1)准备二氧化硅超细粉体,氨水,表面活性剂;(2)将二氧化硅超细粉体、氨水、表面活性剂置于无水乙醇中,形成浆料后继续搅拌1~10小时;(3)过滤后再置于无水乙醇中搅拌,然后二次过滤分离去除液相;(4)在搅拌条件下,连同酚醛树脂一起加入到无水乙醇中,搅拌形成糊状体;烘干后研磨;(5)加入氮源混合研磨;(6)置于加热炉中,在加热炉内气压高于大气压下升温至800~1000℃,进行氮化合成反应;(7)置于电阻炉内,在550~650℃条件下除碳。本发明的方法通过表面改性增加相容性,利用氮源分解产生高活性氨气,原位发生碳热还原反应,实现低温合成氮化硅。
搜索关键词: 基于 表面 改性 低温 合成 制备 氮化 陶瓷 方法
【主权项】:
1.一种基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)准备硅源二氧化硅超细粉体,催化剂氨水,表面活性剂偶联剂和聚乙二醇;其中二氧化硅超细粉体的粒径≤200纳米,氨水的质量浓度为1~28%;氨水占二氧化硅超细粉体总质量的1~30%;偶联剂占二氧化硅超细粉体质量的0.01~10%,聚乙二醇占二氧化硅超细粉体质量的0.01~10%;(2)将二氧化硅超细粉体、氨水、偶联剂和聚乙二醇依次置于无水乙醇中,搅拌形成浆料后继续搅拌1~10小时,在氨水的催化作用下,表面活性剂附着在二氧化硅超细粉体表面,对二氧化硅超细粉体进行表面改性与分散;其中无水乙醇的用量以完全溶解偶联剂和聚乙二醇为准;(3)将搅拌后的物料过滤,再置于无水乙醇中搅拌至少5分钟,使游离的偶联剂溶于无水乙醇中,然后二次过滤分离去除液相,获得二氧化硅湿粉体;(4)在搅拌条件下,将酚醛树脂和二氧化硅湿粉体加入到无水乙醇中,继续搅拌使酚醛树脂全部溶解在无水乙醇中,并且全部物料形成糊状体;将糊状体置于烘箱中,在60~200℃条件下烘干去除挥发成分,剩余物料随炉冷却至常温,取出研磨制成前驱体粉体;其中无水乙醇用量以酚醛树脂全部溶解为准;酚醛树脂与二氧化硅超细粉体的摩尔比为0.5~10;(5)向前驱体粉体中加入氮源尿素或三聚氰胺,混合研磨均匀,制成复合前驱体粉体;其中氮源与二氧化硅超细粉体的摩尔比为5~60;(6)将复合前驱体粉体置于加热炉中,通入惰性气体吹扫将空气驱除;然后在加热炉内气压高于大气压的条件下,升温至800~1000℃,保温2~5小时,进行氮化合成反应;反应后的物料随炉冷却至常温,获得氮化硅粗粉体;(7)将氮化硅粗粉体置于电阻炉内,在550~650℃条件下保温2~8小时,使残留的碳去除,反应后的物料随炉冷却至常温,再研磨制成氮化硅陶瓷粉体。
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