[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本公开的实施例涉及制造半导体装置的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体装置。首先，提供包括绝缘层、半导体层和绝缘膜的衬底，该绝缘膜堆叠在半导体衬底上、并且具有填充有元件隔离部分的沟槽。在通过第一干法蚀刻来从体区域去除绝缘膜之后，通过第二干法蚀刻来从体区域去除半导体层。然后，通过蚀刻来去除SOI区域中的绝缘膜和体区域中的绝缘层。含有碳氟化合物气体的气体被用于第一干法蚀刻。通过第一干法蚀刻的元件隔离部分的蚀刻厚度至少等于紧接在开始第一干法蚀刻之前的绝缘膜的厚度与紧接在开始第一干法蚀刻之前的半导体层的厚度的总和。在第一干法蚀刻之后并且在第二干法蚀刻之前，执行氧等离子体处理。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层上的半导体层，所述半导体层上的第一绝缘膜，穿透所述第一绝缘膜、所述半导体层和所述绝缘层并到达所述半导体衬底的沟槽，以及掩埋在所述沟槽中的元件隔离部分，其中所述绝缘层、所述第一绝缘膜和所述元件隔离部分由彼此相同的材料制成；(b)在所述步骤(a)之后，形成第一掩模层，以便覆盖所述衬底的第一区域中的所述第一绝缘膜，并且以便暴露所述衬底的第二区域中的所述第一绝缘膜，所述第二区域与所述第一区域不同，其中所述元件隔离部分位于所述第一区域与所述第二区域之间的边界处，并且其中所述第一掩模层的侧表面位于所述元件隔离部分上；(c)在所述步骤(b)之后，利用所述第一掩模层作为蚀刻掩模，通过第一干法蚀刻来去除所述第二区域中的所述第一绝缘膜，从而暴露所述第二区域中的所述半导体层；其中通过所述第一干法蚀刻，未覆盖有所述第一掩模层的所述元件隔离部分的蚀刻厚度等于或大于紧接在开始所述第一干法蚀刻之前的所述第一绝缘膜的第一厚度与紧接在开始所述第一干法蚀刻之前的所述半导体层的第二厚度的总和；(d)在所述步骤(c)之后，利用所述第一掩模层作为蚀刻掩模，通过第二干法蚀刻来去除所述第二区域中的所述半导体层，从而暴露所述第二区域中的所述绝缘层；(e)在所述步骤(d)之后，去除所述第一掩模层；(f)在所述步骤(e)之后，通过蚀刻来去除所述第一区域中的所述第一掩模层和所述第二区域中的所述绝缘层，从而暴露所述第一区域中的所述半导体层和所述第二区域中的所述半导体衬底；以及(g)在所述步骤(f)之后，在所述第一区域中的所述半导体层上形成第一晶体管，并在所述第二区域中的所述半导体衬底上形成第二晶体管。