[发明专利]一种氮化钛铌纳米管阵列及渗氮层复合结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811613792.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109811389B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 张惠斌;陈轩晗;郑国渠;曹华珍 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23C8/24;C23F17/00
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及金属表面处理技术领域,为解决现有的方法无法低成本且高效地制备氮化钛铌纳米管结构并在此基础上制备基体过渡渗氮层的问题,本发明提供了一种氮化钛铌纳米管阵列及渗氮层复合结构的制备方法。所述方法包括:1)预处理;2)阳极氧化;3)退火;4)高温氮化。其首先在合金表面形成纳米管阵列结构,随后进行渗氮和氮扩散处理,使得氧化物纳米管阵列转变为氮化物纳米管阵列,同时阻挡层以及基体表面形成渗氮层。本发明所制得纳米管结构可控、结合力强,工艺简单、成本较低,具有良好的电化学性能、耐蚀性能和力学性能。
搜索关键词: 一种 氮化 纳米 阵列 渗氮层 复合 结构 制备 方法
【主权项】:
1.一种氮化钛铌纳米管阵列及渗氮层复合结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)预处理:对钛铌合金进行表面处理;2)阳极氧化:以经过表面处理的钛铌合金作为阳极、石墨作为阴极,置于电解液中在恒电压条件下进行阳极氧化,结束后清洗并干燥;3)退火:将阳极氧化后的钛铌合金置于空气中进行退火处理;4)高温氮化:将经过退火的钛铌合金依次进行通入氮气升温、通入氨气保温和通入氮气降温,即在钛铌合金表面得到氮化钛铌纳米管阵列及渗氮层复合结构。
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