[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811615152.7 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110034217B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 金贤珠;朴炯兆;金桓教 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 示例性实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，其中半导体结构具有穿过第一导电型半导体层的第一部分、第二导电型半导体层以及有源层的第一凹部；以及穿过第一导电型半导体层的第二部分、第二导电型半导体层以及有源层的多个第二凹部，其中第一凹部沿半导体结构的外表面设置，其中多个第二凹部被第一凹部围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层，其中所述半导体结构具有第一凹部，所述第一凹部穿过所述第一导电型半导体层的第一部分、所述有源层和所述第二导电型半导体层；以及多个第二凹部，穿过所述第一导电型半导体层的第二部分、所述有源层和所述第二导电型半导体层，其中所述第一凹部沿所述半导体结构的外表面设置，其中所述多个第二凹部被所述第一凹部围绕。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州立琻半导体有限公司，未经苏州立琻半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811615152.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
