[发明专利]抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法有效
| 申请号： | 201811616624.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109487210B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 周意;宋国锋;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;邵明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/54;G01N27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种抑制充电效应的THGEM基材，包括：PCB基材层、铜电极层、通孔以及DLC薄膜；铜电极层，位于PCB基材层的上下表面；通孔在该基材上呈六角密排分布，且对多个通孔的上下边缘的铜电极层进行腐蚀，裸露出PCB基材层；DLC薄膜形成于PCB基材层裸露部分的表面。本公开提供的抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法，在厚型气体电子倍增器上沉积一层具有很高电阻率但不绝缘的类金刚石碳基薄膜，能够有效地去除厚型气体电子倍增器工作时产生的充电效应，使得探测器的有效增益一直能够保持稳定，对提升探测器工作的稳定性具有重要的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 充电 效应 thgem 基材 及其 制备 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制充电效应的THGEM基材，包括：PCB基材层；铜电极层，位于所述PCB基材层的上下表面；通孔，在该基材上呈六角密排分布，且对多个所述通孔的上下边缘的铜电极层进行腐蚀，裸露出所述PCB基材层；以及DLC薄膜，其形成于所述PCB基材层裸露部分的表面。
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