[发明专利]一种导电石墨烯/银复合芳纶丝束及其制备方法

摘要

本发明属于功能纺织品领域，具体涉及一种导电石墨烯/银复合芳纶丝束及其制备方法，依次包括芳纶丝束基体层、石墨烯单片层和银薄膜；其中：芳纶丝束基体层由若干芳纶长丝形成的丝束均匀排布而成；石墨烯单片层由若干石墨烯纳米片均匀排布附着于芳纶丝束基体层表面；其中，石墨烯纳米片穿插延伸于芳纶长丝间隙；银薄膜为由若干银颗粒均匀排布成网状结构的薄膜，厚度为600～1500nm，附着于石墨烯单片层表面；银颗粒部分嵌入石墨烯纳米片中并填充石墨烯纳米片间隙；其制备方法为芳纶丝束等离子体处理后，粘附氧化石墨烯并还原，磁控溅射银靶材即得，导电性得到大幅度提升，提高芳纶长丝的强力，扩展其应用领域。

主权项

1.导电石墨烯/银复合芳纶丝束，其特征在于，依次包括芳纶丝束基体层、石墨烯单片层和银薄膜；其中，所述芳纶丝束基体层的质量百分比为60％～70％，所述石墨烯单片层的质量百分比为5％～10％，所述银薄膜的质量百分比为25％～35％；所述芳纶丝束基体层由若干芳纶长丝形成的丝束均匀排布而成；所述石墨烯单片层由若干石墨烯纳米片均匀排布附着于所述芳纶丝束基体层表面；其中，所述石墨烯纳米片穿插延伸于所述芳纶长丝间隙；所述银薄膜为由若干银颗粒均匀排布成网状结构的薄膜，厚度为600～1500nm，附着于所述石墨烯单片层表面；所述银颗粒部分嵌入所述石墨烯纳米片中并填充所述石墨烯纳米片间隙。