[发明专利]一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法有效
| 申请号： | 201811618362.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860097B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郑中山;朱慧平;孔延梅;李多力;李博;罗家俊;韩郑生;焦斌斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法，方法包括：在第一半导体衬底上制备第一介质埋层，在第二半导体衬底上制备第二介质埋层；在第一介质埋层上制备高k介质层；叠加连接所述高k介质层和所述第二介质埋层，形成绝缘体上硅材料。本发明通过提供一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法，在实现辐射加固的同时，也避免了顶层半导体材料的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 材料 及其 剂量 辐射 加固 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅材料抗总剂量辐射的加固方法，其特征在于，包括：在第一半导体衬底上制备第一介质埋层，在第二半导体衬底上制备第二介质埋层；在第一介质埋层上制备高k介质层；叠加连接所述高k介质层和所述第二介质埋层，形成绝缘体上硅材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811618362.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅片花篮的提升装置
- 下一篇：一种SOI器件结构及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
