[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811618503.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109659413A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;魏柏林;秦双娇;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和石墨烯扩展条，石墨烯扩展条设置在衬底的第一表面的部分区域上，N型半导体层铺设在石墨烯扩展条和第一表面未设置石墨烯扩展条的区域上，有源层和P型半导体层依次层叠在N型半导体层上，P型半导体层上设有延伸至石墨烯扩展条的凹槽，N型电极设置在凹槽内的石墨烯扩展条上，P型电极设置在P型半导体层上。本发明通过采用石墨烯扩展条代替N型电极的手指部分将电流均匀注入N型半导体层中，可以有效提升LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 发光二极管芯片 第一表面 衬底 源层 半导体技术领域 依次层叠 制作 发光 铺设 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和石墨烯扩展条，所述石墨烯扩展条设置在所述衬底的第一表面的部分区域上，所述N型半导体层铺设在所述石墨烯扩展条和所述第一表面未设置所述石墨烯扩展条的区域上，所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述N型半导体层上，所述P型半导体层上设有延伸至所述石墨烯扩展条的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的石墨烯扩展条上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上。
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