[发明专利]一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺在审
| 申请号： | 201811619077.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109821810A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 丁云海;张京伟;余胜军;卢东阳 | 申请（专利权）人： | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺，本发明属于晶片加工制作技术领域。采用本发明方法，通过上下抛动，改变蓝宝石衬底晶片在超声波同一位置避免了晶片背面局部打花的现象，充分保持整个晶片在清洗液中的清洗效果，本发明不仅避免了抛光液难清洗，清洗不彻底，清洗不稳定等各种难题。而且提高了生产效率和产品的稳定清洗能力，同时所用清洗剂的浓度较低，既降低了成本，而且对环境的影响小。通过本发明可以将氧化铝抛光液抛光后蓝宝石衬底晶片表面清洗干净，使晶片表面脏污数量控制在100以内，达到目前行业要求；并使得批量生产时，一次清洗率达到98％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石衬底晶片 清洗 蓝宝石 清洗工艺 衬底片 抛光液 清洗剂 表面清洗 晶片背面 晶片表面 晶片加工 清洗能力 清洗效果 生产效率 数量控制 同一位置 行业要求 一次清洗 超声波 清洗液 抛光 氧化铝 晶片 脏污 制作 生产 | ||
【主权项】：
1.一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺，其特征在于，步骤如下：(1)将氧化铝抛光后的蓝宝石衬底晶片浸泡于体积浓度比为10％‑25％、加热至60℃‑85℃的环保去蜡液中，超声清洗20‑30分钟，并同时上下抛动；(2)在室温下，将步骤(1)处理后的蓝宝石衬底晶片去离子水中，超声漂洗5‑10分钟；(3)将步骤(2)处理后的蓝宝石衬底晶片浸泡于体积浓度比为15％‑20％、加热至60℃‑80℃水基环保清洗剂中，超声清洗20‑30分钟，并同时上下抛动；(4)在室温下，将步骤(3)处理后的蓝宝石衬底晶片浸泡于去离子中，超声清洗5‑15分钟，并同时上下抛动；(5)在室温下，将步骤(4)处理后的蓝宝石衬底晶片进行QDR清洗后，送至酸洗工序；(6)将步骤(5)处理后的蓝宝石衬底晶片浸泡于温度为120℃，体积比为硫酸：双氧水：去离子水＝5:1:1的酸液中，硫酸的体积百分比浓度为85％，上下抛动清洗15‑20分钟；(7)在室温下，将步骤(6)处理后的蓝宝石衬底晶片QDR清洗后送至刷洗工序；(8)使用单面刷洗机台进行蓝宝石衬底晶片刷洗，完成蓝宝石衬底片的清洗。
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