[发明专利]具有再生长触点的半导体装置和制作方法在审
| 申请号： | 201811619600.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109830537A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄振华;岳远征 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/73;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/331;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及具有再生长触点的半导体装置和制作方法。一种半导体装置的实施例包含：半导体衬底，包含沟道；第一电介质层，安置在半导体衬底上方；以及再生长触点，被形成为穿过第一电介质层中的第一开口。再生长触点包含：再生长区，形成于半导体衬底上方；悬突区，联接到再生长区并且形成于第一电介质层上方、在第一开口附近；以及导电帽盖，形成于再生长区和悬突区上方。一种用于制作半导体装置的方法包含：在半导体衬底上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成第一开口；在第一开口内且在第一电介质层上方形成再生长半导体层；在再生长半导体层上方形成导电帽盖；以及对导电帽盖外部的再生长半导体层进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 再生长 电介质层 半导体装置 衬底 触点 再生长半导体层 半导体 导电帽盖 开口 制作 蚀刻 沟道 穿过 安置 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其包括：半导体衬底，其包含上表面和沟道；第一电介质层，其安置在所述半导体衬底的所述上表面上方；以及再生长触点，其形成于所述半导体衬底上方和内部，所述再生长触点包括：第一开口，其形成于所述第一电介质层中；再生长区，其形成于所述第一开口内并且电联接到所述沟道；悬突区，其联接到所述再生长区并且形成于所述第一电介质层上方、在所述第一开口附近；以及导电帽盖，其形成于所述再生长区和所述悬突区上方。
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