[发明专利]一种基于埋SiGe的PMOS晶体管在审
| 申请号： | 201811619963.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384169A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于埋SiGe的PMOS晶体管，包括：半导体衬底(101)、N型Ge沟道层(102)、栅极(103)、源区(104)、漏区(105)、SiGe层(106)、源极(107)、漏极(108)和保护层(109)；其中，所述N型Ge沟道层(102)设置于所述半导体衬底(101)上；所述栅极(103)设置于所述N型Ge沟道层(102)表面中间位置处；所述N型Ge沟道层(102)为脊状结构，所述源区(104)和所述漏区(105)设置于所述栅极(103)两侧的所述N型Ge沟道层(102)的凸出结构内。本发明提供的基于埋SiGe的PMOS晶体管其载流子迁移率显著高于传统PMOS晶体管载流子迁移率，器件工作速度高、频率特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sige pmos 晶体管 | ||
【主权项】：
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