[发明专利]一种太赫兹真空二极管及其制造方法在审
申请号: | 201811621877.7 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109860001A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 阮存军;戴军;徐向晏;刘虎林;丁一坤 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学;中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01J21/04 | 分类号: | H01J21/04;H01J19/02;H01J19/32;H01J19/54;H01J9/12;H01J9/30 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;李相雨 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开一种太赫兹真空二极管及其制造方法。其中,所述太赫兹真空二极管包括光阴极、真空通道层和阳极,在所述真空通道层设置真空通道,所述真空通道贯穿所述真空通道层,所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端,所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔,所述真空通道呈圆台状,所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。本发明实施例提供的太赫兹真空二极管及其制造方法,提供了一种新的太赫兹真空电子器件。 | ||
搜索关键词: | 真空通道 真空二极管 阳极 光阴极 制造 真空电子器件 密封腔 圆台状 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹真空二极管,其特征在于,包括光阴极、真空通道层和阳极,其中:在所述真空通道层设置真空通道,所述真空通道贯穿所述真空通道层,所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端,所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔,所述真空通道呈圆台状,所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。
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