[发明专利]阵列式太赫兹辐射源及其制造方法在审
申请号: | 201811621921.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109768382A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 阮存军;戴军;张幸运 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q21/06;H01S1/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;李相雨 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开阵列式太赫兹辐射源及其制造方法。其中,所述阵列式太赫兹辐射源包括衬底和多个第一阵列单元,所述多个第一阵列单元在所述衬底上呈阵列排布,每个所述第一阵列单元包括天线、真空通道层和光阴极,所述天线包括馈电带和天线臂,所述馈电带和所述天线臂相连,所述馈电带和所述天线臂设置在所述衬底上,在所述真空通道层设置真空通道,所述真空通道贯穿所述真空通道层,所述馈电带和所述光阴极设置在所述真空通道的两端,所述光阴极、所述真空通道层和所述馈电带之间形成密封腔,在所述光阴极与所述真空通道相对的一侧设置光阴极基底。本发明实施例提供的阵列式太赫兹辐射源及其制造方法,提高了太赫兹辐射源的功率。 | ||
搜索关键词: | 真空通道 太赫兹辐射源 光阴极 馈电 阵列式 阵列单元 天线臂 衬底 天线 制造 阵列排布 密封腔 基底 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种阵列式太赫兹辐射源,其特征在于,包括衬底和多个第一阵列单元,所述多个第一阵列单元在所述衬底上呈阵列排布,每个所述第一阵列单元包括天线、真空通道层和光阴极,其中:所述天线包括馈电带和天线臂,所述馈电带和所述天线臂相连,所述馈电带和所述天线臂设置在所述衬底上,在所述真空通道层设置真空通道,所述真空通道贯穿所述真空通道层,所述馈电带和所述光阴极设置在所述真空通道的两端,所述光阴极、所述真空通道层和所述馈电带之间形成密封腔,在所述光阴极与所述真空通道相对的一侧设置光阴极基底。
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