[发明专利]一种单晶片清洗方法

摘要

本发明提供一种单晶片清洗方法，包括如下步骤：步骤(1)，向旋转的晶片表面喷射去离子水或有机溶剂，以预润湿晶片表面；步骤(2)，向旋转的晶片表面喷射清洗液，以去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物；步骤(3)，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；步骤(4)，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。本发明的减少颗粒污染的单晶片清洗方法，通过在清洗液清洗前增加去离子水或有机溶剂的预浸润以提高清洗液与晶片表面的浸润性、以及控制旋转干燥时高纯氮气喷出的流速以降低晶片中心区域的负压效应，减少了颗粒污染物在晶片表面的吸附，从而提高产品的良品率和可靠性。