[发明专利]一种印刷金属电极的钝化太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811622386.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713065A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;包杰;吴伟梁;刘志锋;陈嘉;吴兴华 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 朱黎光;李托弟 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种印刷金属电极的钝化太阳能电池及制备方法，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括n+掺杂多晶硅层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；所述N型晶体硅基体靠近所述n+掺杂多晶硅层的一侧形成有掺杂多晶硅带尾层。延长金属接触区域掺杂多晶硅层的带尾，增加掺杂原子在晶体硅中扩散的深度，降低金属接触区域的复合；保持非金属接触区域的掺杂多晶硅层带尾较浅，降低非金属接触区域的复合；工艺简单，第一区域和第二区域的n+掺杂多晶硅层通过一次掺杂即可完成，涉及的工艺过程均已经产业化，适合大规模生产；可以显著降低金属接触复合和电阻损失，提高电池的开路电压和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂多晶硅层 带尾 钝化太阳能电池 金属接触区域 印刷金属电极 非金属接触 复合 制备 掺杂多晶硅 减反射薄膜 掺杂原子 第二区域 第一区域 电阻损失 工艺过程 金属电极 金属接触 开路电压 一次掺杂 转换效率 背表面 产业化 晶体硅 钝化 电池 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括n+掺杂多晶硅层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；所述N型晶体硅基体靠近所述n+掺杂多晶硅层的一侧形成有掺杂多晶硅带尾层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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