[发明专利]一种p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811622814.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109650352A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李萍剑;雷明东;徐克赛;青芳竹;张万里;李雪松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域。该制备方法以Se单质为硒源，以WO3和NaCl的混合物为钨源，以P2O5为磷掺杂源，采用三温区的制备方式，在玻璃衬底上制得p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料；其中，Se单质、P2O5以及NaCl和WO3的混合物分别置于第一温区、第二温区和第三温区中，衬底置于第三温区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 温区 磷掺杂 制备 二硒化钨 二维 混合物 衬底 单质 制备技术领域 钨源 硒源 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，该制备方法以Se单质为硒源，以WO3和NaCl的混合物为钨源，以P2O5为磷掺杂源，采用三温区的制备方式，在玻璃衬底上制得p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料；其中，Se单质、P2O5以及NaCl和WO3的混合物分别置于第一温区、第二温区和第三温区中，衬底置于第三温区中。
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