[发明专利]一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺在审
| 申请号： | 201811624752.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109786502A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 贾宇龙;王森涛;焦朋府;杨飞飞;崔龙辉;杨进 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶太阳能电池的石墨舟饱和领域。一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，在NH3预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500w，射频占空比为2ms：12ms，NH3和N2流量均为4slm，持续时间120s；氮化硅沉积过程中，炉管压力设定为1800mTorr，射频功率设定为7000w，射频占空比为6ms：38ms，SiH4流量为850sccm，NH3流量为7.5slm，假片饱和，设定沉积时间80min，空舟饱和，设定时间40min。本发明不仅在较短的沉积时间内，取得了与之前原始工艺相同的饱和效果。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 太阳能电池 石墨舟 多晶 射频功率 占空比 炉管 射频 沉积 氮化硅沉积 预处理过程 原始工艺 假片 | ||
【主权项】：
1.一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，其特征在于：在NH3预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500w，射频占空比为2ms：12ms，NH3和N2流量均为4slm，持续时间120s；氮化硅沉积过程中，炉管压力设定为1800mTorr，射频功率设定为7000w，射频占空比为6ms：38ms，SiH4流量为850sccm，NH3流量为7.5slm，假片饱和，设定沉积时间80min，空舟饱和，设定时间40min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
