[发明专利]一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，包括薄膜晶体管，所述晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；所述沟道层为非晶氧化镓基薄膜；所述薄膜晶体管为底栅结构，所述衬底上设有栅电极，栅电极外覆盖有栅介质层，栅介质层上部分覆盖有沟道层，沟道层的两端部分别设有源电极和漏电极；或，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述衬底覆盖有沟道层，沟道层上部分覆盖有栅介质层，栅介质层的两端部分别设有源电极和漏电极，栅介质层上设有栅电极。本发明提供的深紫外光电探测器在深紫外光(<320nm)照射下响应度较高、功耗低；且制备方法简单，可大面积集成、与柔性衬底兼容。

主权项

1.一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；其特征在于，所述沟道层为非晶氧化镓基薄膜；所述薄膜晶体管为底栅结构，所述衬底上设有栅电极，栅电极外覆盖有栅介质层，栅介质层上部分覆盖有沟道层，沟道层的两端部分别设有源电极和漏电极；或，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述衬底覆盖有沟道层，沟道层上部分覆盖有栅介质层，栅介质层的两端部分别设有源电极和漏电极，栅介质层上设有栅电极。