[发明专利]一种基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法有效
| 申请号： | 201811624880.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841897B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 石彬;丁飞;王胜利;任丽彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01M10/054 | 分类号： | H01M10/054;H01M4/58;H01M10/0562;H01M4/66 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法，以玻璃或硅片为衬底，采用原子层沉积方法依次沉积金属薄膜作为正极集流体，沉积金属氟化物薄膜作为正极活性物质，沉积氟化物薄膜作为固态电解质，沉积金属薄膜作为负极及负极集流体薄膜，完成全固态氟离子电池的制备。使用本发明提供方法制备的全固态氟离子电池,其离子电导率可达10 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 原子 沉积 固态 离子 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法，以玻璃或硅片为衬底，采用原子层沉积方法依次沉积金属薄膜作为正极集流体，沉积金属氟化物薄膜作为正极活性物质，沉积氟化物薄膜作为固态电解质，沉积金属薄膜作为负极及负极集流体薄膜，完成全固态氟离子电池的制备。
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