[发明专利]一种提高速度和保持数据时间的存储器在审
| 申请号： | 201811626289.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109741777A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;钱星宇;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种提高速度和保持数据时间的存储器，其中包括：一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；嵌入式动态随机存储器与非易失性存储器连接，嵌入式动态随机存储器和非易失性存储器分别与一外部处理器连接；外部处理器对嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，对非易失性存储器进行读数据操作，嵌入式动态随机存储器将数据转移至非易失性存储器中保存；嵌入式动态随机存储器利用绝缘体上硅工艺结合背栅调控技术以提高嵌入式动态随机存储器的读写数据速度与保持数据时间。上述技术方案的有益效果：很好的解决了存储器中晶体管漏电问题，同时又保证了存储器的读写速度和数据保持时间。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式动态随机存储器 非易失性存储器 存储器 外部处理器 绝缘体上硅工艺 半导体存储器 易失性存储器 读数据操作 写数据操作 读写数据 漏电问题 数据保持 数据转移 晶体管 背栅 读写 与非 保存 调控 保证 | ||
【主权项】：
1.一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，包括：一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；所述嵌入式动态随机存储器与所述非易失性存储器连接，所述嵌入式动态随机存储器和所述非易失性存储器分别与一外部处理器连接；所述外部处理器对所述嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，所述外部处理器对所述非易失性存储器进行读数据操作，所述嵌入式动态随机存储器将数据转移至所述非易失性存储器中保存；所述嵌入式动态随机存储器于绝缘体上硅工艺制作，包括至少两个晶体管及一电容，至少两个所述晶体管的场效应管沟道的下方增加一背栅，用以调节所述背栅的电压来调节所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，以提高所述嵌入式动态随机存储器的读写数据速度与保持数据时间。
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