[发明专利]一种垂直LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811627023.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109659415A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 朱酉良 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直LED芯片及其制备方法，垂直LED芯片包括：导电衬底；功能结构，位于导电衬底的一侧；n电极，位于功能结构背离所述导电衬底一侧；p电极，位于导电衬底的另一侧；以及反射结构，反射结构与功能结构位于导电衬底的同侧，反射结构间隙的设置在功能结构外侧，且反射结构至少部分包围功能结构，反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从功能结构侧壁射出的光线反射回去。本发明通过在垂直LED芯片外侧形成一反射结构，使得垂直LED芯片工作时，从垂直LED芯片侧壁射出的部分光线经过围栏式反射结构的反射后在不断折射后大部分的光线从垂直LED芯片的出光面射出，以提高出光率，进而提高垂直LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 反射结构 垂直 功能结构 衬底 导电 射出 侧壁 制备 光线反射 出光率 出光面 围栏式 反射 同侧 背离 折射 包围 | ||
【主权项】：
1.一种垂直LED芯片，其特征在于，包括：导电衬底；功能结构，位于所述导电衬底的一侧；n电极，位于所述功能结构背离所述导电衬底的一侧；p电极，位于所述导电衬底的另一侧；以及反射结构，所述反射结构与所述功能结构位于所述导电衬底的同侧，所述反射结构间隙的设置在所述功能结构外侧，且所述反射结构至少部分包围所述功能结构，所述反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从功能结构侧壁射出的光线反射回去。
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