[发明专利]一种获得准C1b结构Heusler合金NiMnAs单晶薄膜的方法在审
| 申请号： | 201811628897.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109576793A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王海龙;马佳淋;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B25/18;C30B25/22;C30B29/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得准C1b结构Heusler合金NiMnAs单晶薄膜的方法，包括：通过分子束外延技术，在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长一超薄NiMnAs低温非晶层；对该超薄NiMnAs低温非晶层退火，在该超薄NiMnAs低温非晶层表面外延一层NiMnAs单晶薄膜；在NiMnAs单晶薄膜表面沉积一层GaAs薄膜，用于防止NiMnAs单晶薄膜氧化。利用本发明，实验上首次合成了具有准C1b结构的NiMnAs单晶薄膜，为相关的自旋电子器件研究提供了材料基础。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶薄膜 非晶层 分子束外延技术 退火 自旋电子器件 表面沉积 表面外延 材料基础 衬底表面 高温生长 首次合成 生长 半绝缘 衬底 平滑 脱氧 薄膜 研究 | ||
【主权项】：
1.一种获得准C1b结构Heusler合金NiMnAs单晶薄膜的方法，其特征在于，该方法是利用分子束外延技术合成具有准C1b结构的NiMnAs单晶薄膜，包括：在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长一超薄NiMnAs低温非晶层；对该超薄NiMnAs低温非晶层退火，在该超薄NiMnAs低温非晶层表面外延一层NiMnAs单晶薄膜；以及在NiMnAs单晶薄膜表面沉积一层GaAs薄膜，用于防止NiMnAs单晶薄膜氧化。
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