[发明专利]LED芯片结构及其形成方法和LED芯片在审
| 申请号： | 201811629278.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109728148A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 阮义康 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片结构及其形成方法，所述LED芯片结构包括mesa结构、第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、第一接触电极和第二接触电极，mesa结构包括N电极和P电极，第一电流阻挡层位于N电极上，第二电流阻挡层位于P电极上，第一接触电极位于N电极上，第一接触电极围绕第一电流阻挡层或第一电流阻挡层围绕第一接触电极，第二接触电极位于P电极上。在本发明提供的LED芯片结构中，使第一接触电极围绕第一电流阻挡层或使第一电流阻挡层围绕所述第一接触电极，可在N电极上形成大或者小的电流阻挡层，造成较大的电阻，从而将电流更好地从电极处扩展出去，形成不同折射率提高亮度，有效提高LED芯片可靠性，提高了LED芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电流阻挡层 接触电极 折射率 电极 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构包括：mesa结构，所述mesa结构包括N电极和P电极；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层位于所述N电极上，所述第二电流阻挡层位于所述P电极上；第一接触电极，所述第一接触电极位于所述N电极上，所述第一接触电极围绕所述第一电流阻挡层或所述第一电流阻挡层围绕所述第一接触电极；第二接触电极，所述第二接触电极位于所述P电极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811629278.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
