[发明专利]高沟道迁移率垂直型UMOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811629332.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384171B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈扶;唐文昕;于国浩;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高沟道迁移率垂直型UMOSFET器件及其制备方法。所述高沟道迁移率垂直型UMOSFET器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括第一半导体以及依次设置在第一半导体上的第二半导体和第三半导体，所述外延结构内还设置有与栅极配合的凹槽结构，所述凹槽结构从所述外延结构的第一表面连续延伸至第一半导体内，至少在所述凹槽结构的内壁与第二半导体之间还设置有第四半导体，所述第四半导体为高阻半导体。本发明将靠近栅槽表面的P |
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| 搜索关键词： | 沟道 迁移率 垂直 umosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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