[发明专利]一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法

摘要

本发明属于电子元器件制造技术领域，涉及一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法，步骤包括将将InP衬底装入MBE系统的生长室，加热去除衬底表面残余的氧化层，生长一层与InP衬底晶格匹配的缓冲层，在缓冲层的基础上生长由两层超薄材料构成的AlxGa1‑xAsySb1‑y顶层节单元，重复生长n个周期，即可得到组分精确控制的AlGaAsSb四组分顶层节材料。本工艺通过As/Sb或Al/Ga成对控制的方法，以双层作为一周期使AlGaAsSb四组分材料得以组分精确地生长，有效避免了材料生长过程中As和Sb或Al和Ga之间的的竞争，并且彻底解决了不互溶隙对材料生长的限制。

主权项

1.一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于步骤包括：①将InP衬底装入MBE系统的生长室；②加热衬底至500～700℃，以去除衬底表面残余的氧化层；③在脱氧温度的基础上降低10～200℃，生长一层与InP衬底晶格匹配的缓冲层，厚度100～1000nm；④在缓冲层的基础上生长一层厚度为d1的AlAs_ySb_1‑y材料，再生长一层厚度为d2的GaAs_ySb_1‑y材料，形成Al_xGa_1‑xAs_ySb_1‑y厚度为d1+d2的顶层节单元，其中：⑤将d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，即可得到组分精确控制的AlGaAsSb四组分顶层节材料。