[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811631049.1 | 申请日： | 2018-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727862B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提出一种半导体器件制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括N个半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的源极和漏极；在第一半导体结构上的源极和漏极之间形成第一栅极；在晶圆上形成第一介质层，并在第二半导体结构的源极和漏极之间的第一介质层上形成第二栅极；在晶圆上形成第二介质层，并在第三半导体结构的源极和漏极之间的第二介质层上形成第三栅极；依此类推，在所述晶圆上形成第N介质层，并在第N+1半导体结构的源极和漏极之间的第N介质层上形成第N+1栅极，其中，所述N为大于1的正整数。本申请所提出的半导体器件及其制造方法，通过在器件中形成不同厚度的介质层从而提高其线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括N+1个半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的源极和漏极；在第一半导体结构上的源极和漏极之间形成第一栅极；在晶圆上形成第一介质层，并在第二半导体结构的源极和漏极之间的第一介质层上形成第二栅极；在晶圆上形成第二介质层，并在第三半导体结构的源极和漏极之间的第二介质层上形成第三栅极；依此类推，在所述晶圆上形成第N介质层，并在第N+1半导体结构的源极和漏极之间的第N介质层上形成第N+1栅极，其中，所述N为大于1的正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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