[发明专利]具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法有效
申请号: | 201811631703.9 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109795979B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张良;陈薪宇;郝宗斌;葛海雄;袁长胜;崔玉双 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 210046 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于微纳加工技术领域,具体涉及一种具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法。该制备方法包括在基底表面依次旋涂高分子层和紫外固化胶层,通过紫外压印、刻蚀、蒸镀、举离得到具有纳米孔阵列结构金属层的衬底,然后对基底进行刻蚀得到具有纳米孔阵列结构的基底,在基底表面、孔底及孔侧壁上镀上金属,刻蚀基底表面及孔底部平面上的金属层,得到内嵌金属环的纳米孔阵列结构。该制备方法通过控制模板结构、刻蚀和镀膜工艺参数对金属环的结构、尺寸、分布进行调整,从而调控金属纳米环阵列产生的局域表面等离激元效应,与具有纳米孔阵列结构的衬底带来的陷光效应协同作用,在光电器件、光催化等领域能够进一步提高光的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 金属环 纳米 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,紫外压印:在基底表面依次旋涂高分子层和紫外固化胶层,通过紫外压印技术制备得到纳米柱阵列结构;高分子刻蚀:对紫外固化胶层的残余层进行刻蚀,以紫外胶柱阵结构作为掩模,通过刻蚀技术刻蚀高分子层;举离:通过电子束蒸镀技术蒸镀金属层,将蒸镀金属层后的基底置于溶剂中进行超声处理,得到具有纳米孔阵列结构金属层的基底;基底刻蚀:以具有纳米孔阵列结构金属层作为掩模,采用刻蚀技术刻蚀基底,刻蚀结束后洗去金属层,得到具有纳米孔阵列结构的基底;镀膜:在具有纳米孔阵列结构的基底表面、孔底和孔侧壁上镀金属层,通过垂直方向的离子束刻蚀技术刻蚀基底表面及孔底平面上的金属层,得到内嵌金属环的纳米孔阵列结构。
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