[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811632282.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109713033A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张强;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，其包括形成在硅衬底上的第一类型阱；第一类型阱的横向上形成有第二类型的表面漂移区、漏端及源端；表面漂移区在漏端同源端之间，表面漂移区同漏端邻接，同源端间隔；表面漂移区上方形成有二氧化硅层，表面漂移区同源端之间的间隔上方形成有二氧化硅层；表面漂移区的正上方的二氧化硅层覆盖有ONO膜层；ONO膜层及N型表面漂移区同源端之间的间隔上方的二氧化硅层上形成有多晶硅栅。本发明还公开了该LDMOS器件的制造方法。本发明能避免工艺波动带来的器件失效或可靠性问题，能够在满足高耐压和低导通电阻的前提下，做到工艺可控并具有较小版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 二氧化硅层 同源 漏端 第一类型阱 低导通电阻 可靠性问题 多晶硅栅 工艺波动 器件失效 高耐压 硅衬底 邻接 可控 源端 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，其包括形成在硅衬底(100)上的第一类型阱(206)；所述第一类型阱(206)的横向上形成有第二类型的表面漂移区(301)、漏端及源端(300)；表面漂移区(301)在漏端同源端(300)之间，表面漂移区(301)同漏端邻接，同源端(300)间隔；表面漂移区(301)上方形成有二氧化硅层，表面漂移区(301)同源端之间的间隔上方形成有二氧化硅层；表面漂移区(301)的正上方的二氧化硅层覆盖有ONO膜层(402)；所述ONO膜层(402)及N型表面漂移区(301)同源端之间的间隔上方的二氧化硅层上形成有多晶硅栅。
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