[发明专利]改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局在审
| 申请号： | 201811632458.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384163A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;秦彦斌;姜丽娟;冯春;王权;肖红领 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局，该结构包括：衬底；外延结构，制作于该衬底之上；源极，制作于该外延结构之上；漏极，制作于该外延结构之上；以及栅极，制作于该外延结构之上；其中，源极的宽度大于所述漏极的宽度，所述宽度表示在栅长方向上的尺寸。该结构通过将源电极尺寸做大，使得源电极相较于漏电极沿着栅长方向的尺寸增大，以增大金属的面积，使得多指器件源电极两侧的栅指间距增大，有利于平衡多指器件内部有源区的温度，当器件的布局需要多个单胞进行组合时，通过设计版图，将单胞之间用pad连接，利用金属的良好导热性，帮助器件散热。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 gan hemt 器件 散热 性能 结构 布局 | ||
【主权项】：
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