[发明专利]叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811633012.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384283B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;朱佩;罗植天 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成第三金属氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-54 .. 材料选择
