[发明专利]帽结构有效
| 申请号： | 201811633460.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110098174B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 高金晟;D·耶格;张志强;M·阿奎利诺;P·卡彭特;洪浚植;M·鲁特科夫斯基;黄海苟;高明·哈 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种帽结构。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及帽结构以及制造方法。该结构包括：由导电栅极材料构成的栅极结构；位于栅极结构上、在导电栅极材料上方延伸的侧壁隔离物；以及位于导电栅极材料上并且在栅极结构上的侧壁隔离物之上延伸的帽盖材料。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：由导电栅极材料构成的栅极结构；位于所述栅极结构上的、在所述导电栅极材料上方延伸的侧壁隔离物；以及位于所述导电栅极材料上并且在所述栅极结构上的所述侧壁隔离物之上延伸的帽盖材料。
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