[发明专利]基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置及方法在审

专利信息
申请号: 201811634295.2 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109490731A 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 钱国超;彭庆军;张知先;陈伟根;万福;马仪;程志万;周仿荣;邹德旭;黄星;洪志湖;刘光祺;颜冰 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 本申请公开了一种基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置及方法,该装置包括第一激光器、第二激光器、第一波分复用器、法珀干涉腔、第二波分复用器及数据采集卡,其中,第一、二激光器分别与第一波分复用器的输入端连接,第一波分复用器的输出端与法珀干涉腔连接;法珀干涉腔包括MOS2膜片与光纤,第一激光器通过光纤与MOS2膜片连接;光纤内设有干涉腔,MOS2膜片与光纤的端面固定连接,MOS2膜片朝向光纤端面的一侧设有金膜;第二波分复用器的输入端与法珀干涉腔连接,其输出端与数据采集卡连接。本申请提供的检测装置采用超薄的MOS2膜片,在MOS2膜片表面上镀覆金膜,提高了膜片的反射率,极大地提高了检测灵敏度。
搜索关键词: 膜片 波分复用器 法珀干涉腔 激光器 光纤 局部放电检测装置 数据采集卡 光纤法珀 输出端 金膜 检测灵敏度 输入端连接 检测装置 膜片表面 反射率 干涉腔 光纤端 输入端 镀覆 申请
【主权项】:
1.一种基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置,其特征在于,包括第一激光器、第二激光器、第一波分复用器、法珀干涉腔、第二波分复用器及数据采集卡,其中,所述第一激光器、所述第二激光器分别与所述第一波分复用器的输入端连接,所述第一波分复用器的输出端与所述法珀干涉腔连接;所述法珀干涉腔包括MOS2膜片与光纤,所述第一激光器通过所述光纤与所述MOS2膜片连接;所述光纤内设有干涉腔,所述MOS2膜片与所述光纤的端面固定连接,所述MOS2膜片朝向所述光纤端面的一侧设有金膜;所述法珀干涉腔与所述第二波分复用器的输入端连接,所述第二波分复用器的输出端与所述数据采集卡连接。
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