[发明专利]一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法有效
| 申请号： | 201811634478.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109713091B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;程东碧;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/18;H01L33/46;H01L31/0232;H01L31/153;H01L31/173 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 刘微 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，属于半导体技术领域。本方法主要针对GaN基集成波导光损耗问题，提出采用高反膜来提高GaN基集成波导的光耦合效率。包括以下关键步骤：多量子阱脊形光波导结构设计、GaN材料生长、多量子阱InGaN/GaN结构的生长、电极套制技术、多量子阱LED侧面镀高反膜等关键技术。通过本发明能够有效提高集成波导的光耦合效率，为提高GaN基集成波导光耦合效率提供了有效途径。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 高反膜 提高 gan 集成 波导 耦合 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在衬底表面生长GaN外延层；步骤二、在GaN外延层表面制备多量子阱结构，多量子阱结构由下至上依次包括n‑GaN层、MQWs层和p‑GaN层，并在多量子阱结构的表层上旋涂光刻胶；步骤三、利用光刻显影和氮化物刻蚀，将掩模板上的图形转移到衬底上，获得GaN基集成波导结构，GaN基集成波导结构由左至右依次包括结构相同的多量子阱发光二极管、多量子阱光波导和多量子阱探测器；步骤四、在多量子阱发光二极管的侧面镀上DBR高反膜，在多量子阱发光二极管和多量子阱探测器的上面分别镀上正负金属电极；步骤五、电极套制、封装引线。
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