[发明专利]一种三维存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201811634603.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727848B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡斌;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L27/115;H01L27/11514 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器的制造方法。上述三维存储器的制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上形成有三维存储器的阵列层；提供第二晶圆，第二晶圆上形成有三维存储器的外围器件层；提供粘结层，粘结层中形成有互连阵列层后段金属的第一互连层；键合第一晶圆、第二晶圆和粘结层以使粘结层在三维存储器的高度方向上连接阵列层和外围器件层；其中粘结层的第一粘结表面与阵列层粘结，粘结层的第二粘结表面与外围器件层粘结，阵列层与外围器件层通过粘结层电连接。本发明能够解决现有技术制造周期长，以及模块化程度低的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
