[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811635757.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109638083A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张超;欧阳潇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快恢复二极管，包括从上至下依次设置的正面阳极、P+浓硼区、N‑淡磷区、N‑‑外延层、N++衬底区、背面阴极，P+浓硼区、N‑淡磷区开有左右对称的台面槽，N‑淡磷区在两侧台面槽之间设有P‑淡硼区，制备方法包括以下步骤：外延材料的制备、正面注入磷、一次氧化、一次光刻、正面注入硼、硼再扩、正面补硼、铂扩散、正面光刻刻槽、台面腐蚀、玻璃钝化、正面光刻引线、正面蒸铝、正面反刻、背面减薄、背面蒸银、合金、测试，本发明在芯片正面形成P+/P‑/N‑的复合结构，形成近似对称的载流子浓度分布，产生阳极发射效率调整的效果，获得更为优化的Trr‑Vf折衷关系，有效的降低了FRED的关断损耗，提升了RRED反向恢复过程中的可靠性与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 淡磷 制备 快恢复二极管 阳极 浓硼区 台面槽 背面 载流子 阴极 背面减薄 玻璃钝化 从上至下 发射效率 反向恢复 复合结构 关断损耗 浓度分布 台面腐蚀 外延材料 芯片正面 一次光刻 一次氧化 依次设置 折衷关系 正面光刻 左右对称 铂扩散 衬底区 外延层 正面光 淡硼 反刻 蒸铝 合金 近似 对称 测试 优化 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复二极管，其特征在于：包括从上至下依次设置的正面阳极、P+浓硼区、N‑淡磷区、N‑‑外延层、N++衬底区、背面阴极，所述P+浓硼区、N‑淡磷区开有左右对称的台面槽，所述N‑淡磷区在两侧台面槽之间设有P‑淡硼区。
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