[发明专利]一种超高精度的带隙基准源电路有效
申请号: | 201811635909.9 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN110568893B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 王军;任贺宇;周小洁;赵传阵 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种超高精度的带隙基准源电路,包括启动电路,主要电路,电阻电路以及分段补偿电路。本发明基于电阻电路利用电阻温度特性通过调节电阻比值得到乘数修调补偿曲线并实现乘数修调补偿技术,通过乘数修调补偿技术和五段分段补偿技术,对带隙基准源进行曲率补偿以获得超高精度的带隙基准源。本发明的优越性在于乘数修调补偿技术的实现无需增加附加电路,简便高效,在消除传统设计方法中电阻温度特性影响的同时,极大地改善了带隙基准源的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 超高 精度 基准 电路 | ||
【主权项】:
1.一种超高精度的带隙基准源电路,其特征在于,包括启动电路,主要电路,电阻电路以及分段补偿电路,/n主要电路具体包括第一差分运算放大器A1,第二差分运算放大器A2,第一双极型晶体管Q1,第二双极型晶体管Q2,第三双极型晶体管Q3,第一场效应晶体管P1,第二场效应晶体管P2,第三场效应晶体管P3,第四场效应晶体管P4,第五场效应晶体管P5,第六场效应晶体管P6,第七场效应晶体管P7,第八场效应晶体管P8,第九场效应晶体管P9,第十场效应晶体管P10,第十一场效应晶体管P11,第十二场效应晶体管P12,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第六电阻R6,第七电阻R7;/n电阻电路具体包括第四电阻R4和第五电阻R5;/n其中,A1的同相输入端接P2的漏极、通过R1连接Q的发射极、通过R5连接Q3的发射极、通过R5连接P3和P6的漏极,反相输入端接P1的漏极、Q1的发射极、通过R4连接Q3的发射极,输出端接P1、P2、P3和P4的栅极;A2的同相输入端接Q1的发射极、P1的漏极、通过R4连接Q3的发射极、通过R4连接P3和P6的漏极,反相输入端通过R2接地、通过R3连接P5的漏极、通过R3连接P6和P7的栅极,输出端接P12的栅极,Q1、Q2及Q3的基极和集电极接地。/n
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