[发明专利]透明导电氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811636224.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111446149A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 崔鸽;董刚强;李沅民;谭钦 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0216;H01L31/18;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：按照第一预设条件按第一预设时间进行沉积，获得第一层子TCO薄膜的步骤，所述第一预设条件包括第一氧氩比；按照第二预设条件在所述第一层子TCO薄膜上按第二预设时间进行沉积，获得第二层子TCO薄膜的步骤，所述第二预设条件包括第二氧氩比，所述第二氧氩比大于所述第一氧氩比。由于沉积第二层子TCO薄膜时的氧氩比大于沉积第一层子TCO薄膜时的氧氩比，从而使使得由第一层和第二层子TCO薄膜构成的TCO薄膜能够兼顾较好的光学性能和电学性能，进而能够提高使用这种TCO薄膜的太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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