[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811637754.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585572A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴兵;王加坤 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖区文三路90*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 依据本发明的实施例揭露了一种半导体器件及其制造方法，包括半导体基体，覆盖半导体基体的上表面的第一金属层，以作为半导体器件的第一电极；覆盖半导体基体的下表面的第二金属层，以作为半导体器件的第二电极；以及位于所述半导体基体中的耗尽结构；所述耗尽结构不作为半导体器件的电极。半导体器件增加半导体基体的掺杂浓度以减小第一金属层和第二金属层之间正向导通时的压降；以及保证所述第二金属层和所述第一金属层间之间的反向耐压要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体基体 第二金属层 第一金属层 耗尽 第二电极 第一电极 反向耐压 正向导通 电极 上表面 下表面 覆盖 减小 压降 制造 掺杂 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基体；覆盖所述半导体基体的上表面的第一金属层，以作为所述半导体器件的第一电极；覆盖所述半导体基体的下表面的第二金属层，以作为所述半导体器件的第二电极；位于所述半导体基体中的耗尽结构；所述耗尽结构不作为所述半导体器件的电极；增加所述半导体基体的掺杂浓度以减小所述第一金属层和所述第二金属层之间正向导通时的压降；以及当在所述第二金属层和所述第一金属层之间施加反向电压时，通过所述耗尽结构辅助耗尽所述半导体基体，以保证所述第二电极和所述第一电极间之间的反向耐压要求。
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