[发明专利]一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 201811639185.5 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111383945A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李新连;刘德臣;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/463;H01L31/18;H01L31/0445;B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池，方法包括：提供太阳能电池，太阳能电池包括待刻划膜层，待刻划膜层包括位于边缘的非有效区域和与非有效区域相邻的有效区域；采用第一控制参数对在非有效区域的待刻划膜层进行第一阶段刻划，形成第一刻划线，第一刻划线的深度以穿透待刻划膜层为准；采用第二控制参数从第一刻划线的末端继续刻划待刻划膜层，形成第二刻划线，第二刻划线的深度以穿透待刻划膜层为准；第一控制参数不同于第二控制参数，以使第一刻划线的深度不小于第二刻划线的深度，从而降低第二刻划过程中出现过刻或者漏刻的可能性，进而提升太阳能电池性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 刻划 方法 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
