[发明专利]一种基板埋入式功率器件封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811641590.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727969A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基板埋入式功率器件封装结构，包括：基板，所述基板具有金属化通孔和第一功率芯片嵌入槽；第一功率芯片，所述第一功率芯片设置在所述第一功率芯片嵌入槽内；光可成像电介质PID，所述光可成像电介质PID覆盖所述基板的上下两面，且在所述金属化通孔和所述第一功率芯片的电极的对应位置设置有上开口和下开口；上金属层，所述上金属层设置在所述光可成像电介质PID的上面和所述上开口中，与所述第一功率芯片的第一面电极以及所述金属化通孔形成电互连；下金属层，所述下金属层设置在所述光可成像电介质PID的下面和所述下开口中，与所述第一功率芯片的第二面电极以及所述金属化通孔形成电互连；上阻焊层，所述上阻焊层覆盖所述上金属层；下阻焊层，所述下阻焊层覆盖所述下金属层；以及金属化焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 功率芯片 电介质 基板 金属化通孔 光可成像 上金属层 下金属层 封装结构 功率器件 上阻焊层 下阻焊层 电互连 埋入式 嵌入槽 上开口 下开口 电极 覆盖 金属化焊盘 第二面 面电极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板埋入式功率器件封装结构，包括：基板，所述基板具有金属化通孔和第一功率芯片嵌入槽；第一功率芯片，所述第一功率芯片设置在所述第一功率芯片嵌入槽内；光可成像电介质PID，所述光可成像电介质PID覆盖所述基板的上下两面，且在所述金属化通孔和所述第一功率芯片的电极的对应位置设置有上开口和下开口；上金属层，所述上金属层设置在所述光可成像电介质PID的上面和所述上开口中，与所述第一功率芯片的第一面电极以及所述金属化通孔形成电互连；下金属层，所述下金属层设置在所述光可成像电介质PID的下面和所述下开口中，与所述第一功率芯片的第二面电极以及所述金属化通孔形成电互连；上阻焊层，所述上阻焊层覆盖所述上金属层；下阻焊层，所述下阻焊层覆盖所述下金属层；以及金属化焊盘。
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