[发明专利]晶体硅双面电池及该晶体硅双面电池的热处理方法

摘要

本发明提供了一种晶体硅双面电池及该晶体硅双面电池的热处理方法，所述晶体硅双面电池包括硅基底与背面金属化层，所述硅基底的电阻率设置为0.3～0.8Ω·cm，所述背面金属化层的遮光率不超过23％。上述晶体硅双面电池的热处理方法主要包括将待处理的晶体硅双面电池加热至第一阈值温度，再通入正向电流，继续升温；保温处理，保温处理过程包括至少两个子阶段且所述保温处理过程保持通入正向电流；将完成保温处理的晶体硅双面电池冷却至第二阈值温度，停止通入电流。所述晶体硅双面电池减小背面金属化层的遮光面积，提升双面率的同时，不会造成正面转换效率降低；再通过前述热处理方法还能有效降低衰减风险。

主权项

1.一种晶体硅双面电池，包括硅基底、设置在所述硅基底两侧表面的正面金属化层与背面金属化层，其特征在于：所述硅基底的电阻率设置为0.3～0.8Ω·cm，且所述背面金属化层的遮光率不超过23％。