[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811641765.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109665488A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;闻永祥;刘琛;葛俊山;马志坚 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02;H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：形成CMOS电路；以及在CMOS电路上形成MEMS模块，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，形成MEMS模块的步骤包括：形成保护层；在保护层中形成牺牲层；在保护层与牺牲层上形成第一电极，并形成第一电极与CMOS电路之间的电连接，第一电极覆盖牺牲层；在第一电极上形成压电层，压电层与牺牲层的位置对应；在压电层上形成第二电极，并形成第二电极与CMOS电路之间的电连接；在第一电极上或保护层形成到达牺牲层的通孔；以及经由通孔除去牺牲层形成空腔。该方法制造的MEMS器件灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 第一电极 保护层 压电层 第二电极 电连接 制造 通孔 工艺兼容性 模块连接 制造成本 灵敏度 空腔 驱动 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制造方法，包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成MEMS模块，所述CMOS电路与所述MEMS模块连接，用于驱动所述MEMS模块，其中，形成所述MEMS模块的步骤包括：形成保护层；在所述保护层中形成牺牲层；在所述保护层与所述牺牲层上形成第一电极，并形成所述第一电极与所述CMOS电路之间的电连接，所述第一电极覆盖所述牺牲层；在所述第一电极上形成压电层，所述压电层与所述牺牲层的位置对应；在所述压电层上形成第二电极，并形成所述第二电极与所述CMOS电路之间的电连接；在所述第一电极或保护层上形成到达所述牺牲层的通孔；以及经由所述通孔除去所述牺牲层形成空腔。
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