[发明专利]一种氮化硅减反射薄膜及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201811641950.7 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109728106A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 付传起;王宙;高越;杨梓健 申请(专利权)人: 大连大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/04
代理公司: 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 代理人: 毕进
地址: 116622 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种氮化硅减反射薄膜及其制备方法和应用,该薄膜表面细致均匀,主要目的为了减小太阳能在薄膜上的反射,从而增强太阳能电池的光电转化率。将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中,充入氮气,采用激光溅射沉积的方法制备出氮化硅薄膜,选取靶材为99.999%本征硅靶、基片为20×20mm硅片,控制氮气气压在1‑4Pa,退火温度在350‑900℃,氮气流量5‑50sccm。经研究发现,在工艺参数为1Pa、20sccm、700℃时薄膜折射率为2.2,减反射效率最高。本发明制备方法简单、成本低、可控性强,为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
搜索关键词: 制备方法和应用 减反射薄膜 氮化硅 制备 氮气 退火 石英玻璃基片 薄膜折射率 氮化硅薄膜 多晶硅薄膜 光电转化率 减反射效率 太阳能电池 薄膜表面 氮气流量 氮气气压 溅射沉积 领域拓展 真空系统 本征硅 硅靶材 可控性 硅片 靶材 放入 减小 反射 薄膜 太阳能 激光 发现 研究
【主权项】:
1.一种氮化硅减反射薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对硅片进行预处理,将纯度为99.999%靶材和清洗好的玻璃片分别放置于真空系统的真空腔内的靶材支架与基片支架上;(2)打开准分子激光器电源,调节各项参数,利用激光溅射的方法在硅片上沉积氮化硅减反射膜;(3)利用SEM;XRD等仪器进行数据分析。
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