[发明专利]闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器

摘要

本发明提供一种闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为N层3D闪存结构；N为大于或等于16的正整数。本发明通过将闪存器件设计中的边界字线WL设定为SLC/MLC/TLC/QLC等属性的存储单元，减少了过多不用边界字线WL的概率，有效地提高了闪存器件的使用效率和容量。

主权项

1.一种闪存器件的边界字线配置方法，其特征在于，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为N层3D闪存结构；N为大于或等于16的正整数；对所述单位结构配置边界字线的方法包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N‑2字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N‑2字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第N‑3字线层配置为SLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N‑2字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第N‑3字线层配置为SLC存储单元使用属性，第3字线层和第N‑4字线层配置为MLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N‑2字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第N‑3字线层配置为SLC存储单元使用属性，第3字线层和第N‑4字线层配置为MLC存储单元使用属性，第4字线层和第N‑5字线层配置为TLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第N‑2字线层配置为SLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第N‑2字线层配置为SLC存储单元使用属性，第2字线层和第N‑3字线层配置为MLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第N‑1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第N‑2字线层配置为SLC存储单元使用属性，第2字线层和第N‑3字线层配置为MLC存储单元使用属性，第3字线层和第N‑4字线层配置为TLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性。