[发明专利]半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法有效
| 申请号： | 201811643537.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384034B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 潘盼 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法，其中，半导体芯片包括基底，基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于第一侧面的半导体芯片的源极；设置在基底上的通孔，通孔的设置位置与源极的位置对应，通孔从第二侧面贯穿至第一侧面；基于第二侧面形成、并通过通孔与源极电性接触的种子金属层；基于种子金属层形成的背面金属层，该背面金属层覆盖种子金属层的一部分；至少覆盖于未被所述背面金属层所覆盖的种子金属层边缘的保护材料层。通过在种子金属层未被背面金属层覆盖的边缘位置包裹覆盖保护材料层，从而防止种子金属层产生的卷曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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