[发明专利]一种晶体生长方法在审
| 申请号： | 201811645540.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576776A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 谢辉;赵有文 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40;C30B33/02 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长方法，涉及晶体生长技术领域；以PNB坩埚为生长容器，包括以下工艺流程：S1：石英管、石英封帽、PNB坩埚的清洗；S2：对石英管、石英封帽和PNB坩埚真空退火；S3：所有原材料装入PNB坩埚内，PNB坩埚放入石英管，然后对石英管抽真空、封管；S4：控制加热器的温度以控制PNB坩埚的升温、恒温以及降温过程，完成晶体生长；S5：晶体生长后的进行退火处理，进一步消除晶体中的残留施主缺陷，降低残留应力。采用本发明所公开的晶体生长方法能显著的消除磷化铟晶片的微缺陷，消除磷化铟晶片的残留施主缺陷，降低晶片的残留应力，获得低位错，低缺陷及杂质沾污少的磷化铟单晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 坩埚 石英管 残留 磷化铟晶片 施主缺陷 封帽 石英 退火 晶体生长技术 控制加热器 磷化铟单晶 降温过程 生长容器 退火处理 杂质沾污 坩埚真空 工艺流程 抽真空 低缺陷 微缺陷 低位 放入 封管 晶片 装入 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长方法，其特征在于包括以下工艺流程：S1：对石英管、石英封帽、PNB坩埚均采用如下方式清洗：首先采用有机溶剂擦洗，并用去离子水冲洗，接着用酸或王水进行浸泡清洗，最后用去离子水冲洗干净，并烘干备用；S2：对石英管、石英封帽和PNB坩埚进行真空退火；S3：PNB坩埚放在石英管内，将所需原材料装入PNB坩埚内部，然后对石英管进行抽真空，当真空度达到设计要求，盖上石英封帽，对石英管进行封管处理；S4：将封闭的石英管放入生长炉内，控制石英管的升温温度梯度、恒温过程以及降温速率，在PNB坩埚内完成晶体生长；S5：晶体生长后的退火处理。
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