[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811646106.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109850840A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 季锋;闻永祥;刘琛;邹光祎 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在空腔上形成结构层；在结构层中形成至少一个感应电阻；以及经由结构层形成到达空腔的第二开口，其中，结构层与第二开口相邻的部分形成质量块，结构层分别与半导体衬底以及质量块相连的部分形成悬臂，感应电阻位于悬臂中。本申请通过半导体衬底中的空腔上方的结构层形成了质量块和悬臂，从而形成了可动结构，并通过在悬臂中形成感应电阻，以感应悬臂因质量块的活动产生的变化，可以用于制造加速度传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 结构层 悬臂 质量块 空腔 感应电阻 衬底 半导体 制造 开口 加速度传感器 可动结构 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制造方法，包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成结构层；在所述结构层中形成至少一个感应电阻；以及经由所述结构层形成到达所述空腔的第二开口，其中，所述结构层与所述第二开口相邻的部分形成质量块，所述结构层分别与所述半导体衬底以及所述质量块相连的部分形成悬臂，所述感应电阻位于所述悬臂中。
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