[发明专利]一种PN结扩散方法

摘要

为了提高二极管晶片的PN结扩散过程中生产效率低、成本高的问题，本发明提供一种PN结扩散方法，包括原硅片，原硅片为N型，扩散过程中包括以下步骤：S1：清洗、S2：涂扩散源；S3：放入扩散炉中进行硅片扩散，得到P﹢/N/N﹢型结构；S4：清洗，分片；S5：对分开后的硅片进行双面喷砂；S6：喷砂后的硅片进行表面金属化处理；S7：完成了晶片的制作过程。本申请中采用对原硅片两侧涂覆硼扩散源和磷扩散源，然后同时扩散，减少原硅片反复清洗、分离、喷砂的过程，不仅缩短了生产周期，提高了生产效率，并且降低了生产成本；此外，本申请中采用一次扩散，避免了多次高温对晶片的影响，提高了晶片的电特性。

主权项

1.一种PN结扩散方法，包括原硅片，原硅片为N型，其特征在于，扩散过程中包括以下步骤：S1：对原硅片放置在清洗机上进行清洗，清洗后烘干，然后取出待用；S2：对上一步原硅片的上方涂覆硼扩散源，对N型原硅片的下方涂覆磷扩散源，然后装入石英舟后待用；S3：将上一步中的石英舟放入扩散炉中进行硅片扩散，得到P﹢/N/N﹢型结构；S4：将扩散后的硅片放置到氢氟酸中，直至硅片分开；S5：将分开后的硅片放置在喷砂机中，对分开后的硅片进行双面喷砂；S6：喷砂后的硅片进行表面金属化处理；S7：完成了晶片的制作过程。